中芯集成電路制造(紹興)有限公司是中芯國際的合資公司。IGBT平臺從2015年開始建立,著眼于最新一代場截止型 (FIELD STOP)IGBT結構,采用業界最先進及主流的背面加工工藝,包括TAIKO 背面減薄工藝、濕法刻蝕工藝、離子注入、背面激光退火及背面金屬沉積工藝等。已完成整套深溝槽 (DEEP TRENCH)+薄片 (THIN WAFER)+場截止 (FIELD-STOP)技術工藝的自主研發,并相應推出600V~1200V 等器件工藝,技術參數可達到業界領先水平。

MEMS,MOSFET,IGBT
中芯集成電路制造(紹興)有限公司DWWA、有機系廢水回收水處理系統
1. DIW消耗量:20m3/H
2. ROW消耗量:50m3/H
3. UPW消耗量:200m3/H
4. LSW消耗量:80m3/H
● UPW電阻率 ≥18.2MΩ.CM@25℃
● 溫度:23±1℃
● 壓力 4-5MPA
● 8INCH SPEC.IN